IRF9610SPBF
Hersteller Produktnummer:

IRF9610SPBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRF9610SPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

1102 Stück Neu Original Auf Lager
12893416
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRF9610SPBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF9610

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF9610SPBFCT-DG
IRF9610SPBFCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

IRF510STRR

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF840LCSTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB

diodes

DMP3007SFG-7

MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333

vishay-siliconix

IRC830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-5