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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRF9610L
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRF9610L-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 200 V 1.8A (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
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IRF9610L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRF9610
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRF9610L
HTML-Datenblatt
IRF9610L-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF9610L
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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