IRF9530SPBF

Hersteller Produktnummer:

IRF9530SPBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRF9530SPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 100 V 12A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

997 Stück Neu Original Auf Lager

12843378

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

IRF9530SPBF Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

Tube

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 7.2A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

860 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

TO-263 (D2PAK)

Paket / Koffer

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis-Produktnummer

IRF9530

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

50

Andere Namen

IRF9530SPBFCT

IRF9530SPBFCT-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Affected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

onsemi

MMFT960T1G

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223

vishay-siliconix

IRF840BPBF

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

onsemi

NTP30N06

MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

onsemi

NTP35N15G

MOSFET N-CH 150V 37A TO220AB