IRF830BPBF
Hersteller Produktnummer:

IRF830BPBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRF830BPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

2784 Stück Neu Original Auf Lager
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IRF830BPBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF830

Datenblatt & Dokumente

Produkt-Zeichnungen
TO-220AB Package Drawing
Datenblätter
IRF830BPBF
HTML-Datenblatt
IRF830BPBF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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