IRF624
Hersteller Produktnummer:

IRF624

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRF624-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

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12886091
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IRF624 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF624

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRF624
HTML-Datenblatt
IRF624-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
*IRF624

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF624PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRF624PBF-DG
Einheitspreis
0.69
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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