IRF620STRLPBF
Hersteller Produktnummer:

IRF620STRLPBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRF620STRLPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

845 Stück Neu Original Auf Lager
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IRF620STRLPBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF620

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRF620STRLPBF
HTML-Datenblatt
IRF620STRLPBF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
IRF620STRLPBF-DG
IRF620STRLPBFTR
IRF620STRLPBFCT
IRF620STRLPBFDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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