Hersteller Produktnummer:
IRF610S
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRF610S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12907636
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IRF610S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF610
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF610S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF610SPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
320
TEILNUMMER
IRF610SPBF-DG
Einheitspreis
0.66
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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