VS-FC420SA10
Hersteller Produktnummer:

VS-FC420SA10

Product Overview

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Teilenummer:

VS-FC420SA10-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 435A (Tc) 652W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventar:

4098 Stück Neu Original Auf Lager
12920256
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

VS-FC420SA10 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
435A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.15mOhm @ 200A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 750µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
375 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
17300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
652W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
FC420

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10
Andere Namen
VS-FC420SA10GI
VS-FC420SA10GICT-DG
VS-FC420SA10GICT
VS-FC420SA10GIDKRINACTIVE
VS-FC420SA10GITRINACTIVE

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SUD19P06-60L-E3

MOSFET P-CH 60V 19A TO252

vishay-siliconix

SI7403BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8

nexperia

PSMN009-100P,127

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

vishay-siliconix

SI3457CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP