Hersteller Produktnummer:
US1M-E3/5AT
Product Overview
Hersteller:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Teilenummer:
US1M-E3/5AT-DG
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Detaillierte Beschreibung:
Diode 1000 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Inventar:
22677 Stück Neu Original Auf Lager
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US1M-E3/5AT Technische Spezifikationen
Kategorie
Gleichrichter, Eingleitdioden
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)
1000 V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Durchlass (Vf) (Max) @ Wenn
1.7 V @ 1 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr)
75 ns
Strom - Sperrleckage @ vr
10 µA @ 1000 V
Kapazität @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
DO-214AC, SMA
Gerätepaket für Lieferanten
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Sperrschicht
-55°C ~ 150°C
Basis-Produktnummer
US1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
7,500
Andere Namen
US1ME35AT
US1M-E3/5AT-DG
US1M-E3/5ATGICT
US1M-E3/5ATGIDKR
US1M-E3/5ATGITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI-Zertifizierung
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