1N65L
Hersteller Produktnummer:

1N65L

Product Overview

Hersteller:

UMW

Teilenummer:

1N65L-DG

Beschreibung:

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

2370 Stück Neu Original Auf Lager
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1N65L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
UMW
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
UMW
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
4518-1N65LDKR
4518-1N65LCT
4518-1N65LTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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