Hersteller Produktnummer:
UF3C120080K3S
Product Overview
Hersteller:
Qorvo
Teilenummer:
UF3C120080K3S-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
17660 Stück Neu Original Auf Lager
12967099
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
UF3C120080K3S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Qorvo
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
254.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
UF3C120080
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
2312-UF3C120080K3S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
UF3C120150K3S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
SIJ462ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
NTD600N80S3Z
MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
