Hersteller Produktnummer:
UF3C120040K4S
Product Overview
Hersteller:
Qorvo
Teilenummer:
UF3C120040K4S-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
471 Stück Neu Original Auf Lager
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UF3C120040K4S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Qorvo
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 40A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
429W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
UF3C120040
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
2312-UF3C120040K4S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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