Hersteller Produktnummer:
TPH3212PS
Product Overview
Hersteller:
Transphorm
Teilenummer:
TPH3212PS-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
13446813
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TPH3212PS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 17A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 400uA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1130 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TPH3212
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TPH3208LD
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3