TP65H035G4WS
Hersteller Produktnummer:

TP65H035G4WS

Product Overview

Hersteller:

Transphorm

Teilenummer:

TP65H035G4WS-DG

Beschreibung:

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3

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TP65H035G4WS Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Transphorm
Verpackung
Tube
Reihe
SuperGaN™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 0 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
TP65H035

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
TP65H035G4WS

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
1707-TP65H035G4WS

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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