Hersteller Produktnummer:
XPN12006NC,L1XHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
XPN12006NC,L1XHQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 20A 65W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Inventar:
9977 Stück Neu Original Auf Lager
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XPN12006NC,L1XHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Automotive, AEC-Q101
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
65W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
XPN12006
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-XPN12006NCL1XHQTR
264-XPN12006NCL1XHQCT
264-XPN12006NCL1XHQDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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