Hersteller Produktnummer:
XPH6R30ANB,L1XHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
XPH6R30ANB,L1XHQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
9174 Stück Neu Original Auf Lager
12943584
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
XPH6R30ANB,L1XHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
XPH6R30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-XPH6R30ANBL1XHQDKR
264-XPH6R30ANBL1XHQCT
264-XPH6R30ANBL1XHQTR
XPH6R30ANB,L1XHQ(O
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK11S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
TK33S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
TK160F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
