Hersteller Produktnummer:
XK1R9F10QB,LXGQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
XK1R9F10QB,LXGQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Inventar:
4854 Stück Neu Original Auf Lager
12938254
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
XK1R9F10QB,LXGQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.92mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
184 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11500 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SM(W)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
XK1R9F10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
264-XK1R9F10QBLXGQTR
264-XK1R9F10QBLXGQCT
264-XK1R9F10QBLXGQDKR
XK1R9F10QB,LXGQ(O
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NVH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
TJ20S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
TJ15S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
