Hersteller Produktnummer:
TW083N65C,S1F
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TW083N65C,S1F-DG
Beschreibung:
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
162 Stück Neu Original Auf Lager
12986853
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TW083N65C,S1F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
113mOhm @ 15A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
873 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
111W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
264-TW083N65CS1F
TW083N65C,S1F(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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