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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
TTC5200(Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TTC5200(Q)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 230V 15A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
Inventar:
Angebot Anfrage Online
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TTC5200(Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
15 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
230 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
Leistung - Max
150 W
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-3PL
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P(L)
Basis-Produktnummer
TTC5200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
TTC5200
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
Q5861625
TTC5200Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MJL21194G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1558
TEILNUMMER
MJL21194G-DG
Einheitspreis
2.45
ERSATZART
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TEILNUMMER
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