Hersteller Produktnummer:
TTC0002(Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TTC0002(Q)-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 18A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 18 A 30MHz 180 W Through Hole TO-3P(L)
Inventar:
63 Stück Neu Original Auf Lager
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TTC0002(Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
18 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 900mA, 9A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 1A, 5V
Leistung - Max
180 W
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-3PL
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P(L)
Basis-Produktnummer
TTC0002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
TTC0002Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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