Hersteller Produktnummer:
TTA006B,Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TTA006B,Q-DG
Beschreibung:
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 1 A 70MHz 1.5 W Through Hole TO-126N
Inventar:
83 Stück Neu Original Auf Lager
12990210
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TTA006B,Q Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
230 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
200nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
70MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
250
Andere Namen
264-TTA006BQ
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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