Hersteller Produktnummer:
TPW5200FNH,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPW5200FNH,L1Q-DG
Beschreibung:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventar:
4822 Stück Neu Original Auf Lager
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TPW5200FNH,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2200 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DSOP Advance
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPW5200FNH,L1QDKR
264-TPW5200FNHL1QTR-DG
264-TPW5200FNH,L1QCT
264-TPW5200FNHL1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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