Hersteller Produktnummer:
TPW1R104PB,L1XHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPW1R104PB,L1XHQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventar:
12939635
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TPW1R104PB,L1XHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.14mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4560 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DSOP Advance
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPW1R104
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPW1R104PBL1XHQTR
264-TPW1R104PBL1XHQCT
TPW1R104PB,L1XHQ(O
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TPH1R104PB,L1XHQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
7844
TEILNUMMER
TPH1R104PB,L1XHQ-DG
Einheitspreis
0.78
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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