Hersteller Produktnummer:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPN4R303NL,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
4115 Stück Neu Original Auf Lager
12890048
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TPN4R303NL,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 34W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN4R303
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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