Hersteller Produktnummer:
TPN22006NH,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPN22006NH,LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventar:
2900 Stück Neu Original Auf Lager
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TPN22006NH,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN22006
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPN22006NHLQDKR
TPN22006NHLQCT
TPN22006NHLQTR
TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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