Hersteller Produktnummer:
TPN19008QM,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPN19008QM,LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
10887 Stück Neu Original Auf Lager
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TPN19008QM,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
630mW (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN19008
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-TPN19008QMLQTR
264-TPN19008QMLQDKR
TPN19008QM,LQ(S
264-TPN19008QMLQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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