Hersteller Produktnummer:
TPN14006NH,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPN14006NH,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 13A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
12891115
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TPN14006NH,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN14006
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPN14006NHL1QCT
TPN14006NH,L1Q(M
TPN14006NHL1Q
TPN14006NHL1QDKR
TPN14006NHL1QTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TK8A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 7.5A TO220SIS
TK16A60W,S4X
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK7A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
