Hersteller Produktnummer:
TPH9R506PL,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPH9R506PL,LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 34A (Tc) 830mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
31819 Stück Neu Original Auf Lager
12920873
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TPH9R506PL,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1910 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
830mW (Ta), 81W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPH9R506
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-TPH9R506PLLQTR
264-TPH9R506PLLQCT
TPH9R506PL,LQ(S
264-TPH9R506PLLQDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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