Hersteller Produktnummer:
TPH3R10AQM,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPH3R10AQM,LQ-DG
Beschreibung:
100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventar:
7237 Stück Neu Original Auf Lager
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TPH3R10AQM,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7400 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5.75)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
TPH3R10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPH3R10AQM,LQCT:264-TPH3R10AQMLQCT-DG
264-TPH3R10AQM,LQCT-DG
264-TPH3R10AQM,LQTR
264-TPH3R10AQM,LQDKR
264-TPH3R10AQM,LQTR-DG
264-TPH3R10AQM,LQDKR-DG
264-TPH3R10AQMLQDKR
264-TPH3R10AQMLQTR
TPH3R10AQM,LQ(M1
264-TPH3R10AQMLQCT
264-TPH3R10AQM,LQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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