Hersteller Produktnummer:
TPH2R608NH,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPH2R608NH,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 150A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
67828 Stück Neu Original Auf Lager
12890874
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TPH2R608NH,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6000 pF @ 37.5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
142W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPH2R608
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPH2R608NH,L1Q(M
TPH2R608NHL1QDKR
TPH2R608NHL1QTR
TPH2R608NHL1QCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SSM3K341R,LF
MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
SSM3K15FS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
SSM5N15FE(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
