Hersteller Produktnummer:
TPH1R306PL1,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPH1R306PL1,LQ-DG
Beschreibung:
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventar:
9718 Stück Neu Original Auf Lager
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TPH1R306PL1,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSIX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.34mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8100 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5.75)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPH1R306PL1LQTR
264-TPH1R306PL1LQCT
264-TPH1R306PL1LQDKR
TPH1R306PL1,LQ(M
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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