Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
TPH1110ENH,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPH1110ENH,L1Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12890764
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TPH1110ENH,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPH1110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
TPH1110ENH
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENHL1QCT
TPH1110ENHL1QDKR
TPH1110ENHL1QTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SSM3J133TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
TK39J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P