Hersteller Produktnummer:
TPCF8B01(TE85L,F,M
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventar:
12890298
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TPCF8B01(TE85L,F,M Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
470 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
330mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
VS-8 (2.9x1.5)
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
TPCF8B01
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-DG
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01FTR
TPCF8B01(TE85LFMDRK-DG
TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01TE85LFM
TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-DG
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-DG
TPCF8B01FCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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