Hersteller Produktnummer:
TPCC8105,L1Q
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPCC8105,L1Q-DG
Beschreibung:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
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EINREICHEN
TPCC8105,L1Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3240 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
264-TPCC8105,L1QTR-DG
264-TPCC8105,L1QCT
264-TPCC8105,L1QDKR
264-TPCC8105,L1QTR
264-TPCC8105L1QTR
264-TPCC8105L1QTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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