Hersteller Produktnummer:
TPCC8009,LQ(O
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPCC8009,LQ(O-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 24A (Ta) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
12891423
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TPCC8009,LQ(O Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIV
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1270 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPCC8009
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPCC8009LQO
TPCC8009LQ(O
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RQ3E130BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1954
TEILNUMMER
RQ3E130BNTB-DG
Einheitspreis
0.15
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