Hersteller Produktnummer:
TPCC8008(TE12L,QM)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPCC8008(TE12L,QM)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 25A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventar:
12891005
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TPCC8008(TE12L,QM) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIV
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1A
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-VDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
TPCC8008
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPCC8008(TE12LQM)CT
TPCC8008TE12LQM
TPCC8008(TE12LQM)TR
TPCC8008(TE12LQM)DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RQ3E130BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1954
TEILNUMMER
RQ3E130BNTB-DG
Einheitspreis
0.15
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