Hersteller Produktnummer:
TPC8A05-H(TE12L,QM
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPC8A05-H(TE12L,QM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventar:
12891212
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TPC8A05-H(TE12L,QM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSV-H
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.3mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1700 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP (5.5x6.0)
Paket / Koffer
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Basis-Produktnummer
TPC8A05
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI2304BDS-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
65573
TEILNUMMER
SI2304BDS-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.09
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