Hersteller Produktnummer:
TPC8207(TE12L,Q)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TPC8207(TE12L,Q)-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventar:
12890622
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TPC8207(TE12L,Q) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 4.8A, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2010pF @ 10V
Leistung - Max
450mW
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP (5.5x6.0)
Basis-Produktnummer
TPC8207
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TPC8207TE12LQ
TPC8207TR-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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