Hersteller Produktnummer:
TK9J90E,S1E
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK9J90E,S1E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
12890645
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TK9J90E,S1E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 900µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P(N)
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
TK9J90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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