Hersteller Produktnummer:
TK60S10N1L,LXHQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK60S10N1L,LXHQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 60A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
1997 Stück Neu Original Auf Lager
12976169
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
TK60S10N1L,LXHQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.11mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4320 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK+
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK60S10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TK60S10N1L,LXHQ(O
264-TK60S10N1LLXHQDKR
264-TK60S10N1LLXHQTR
264-TK60S10N1LLXHQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXTP60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
AON6570
MOSFET N-CH 5X6 DFN
