Hersteller Produktnummer:
TK5R1P08QM,RQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK5R1P08QM,RQ-DG
Beschreibung:
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
15568 Stück Neu Original Auf Lager
12967433
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TK5R1P08QM,RQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3980 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
264-TK5R1P08QM,RQDKR-DG
264-TK5R1P08QM,RQDKR
264-TK5R1P08QMRQDKR
264-TK5R1P08QM,RQTR
TK5R1P08QM,RQ(S2
264-TK5R1P08QM,RQCT-DG
264-TK5R1P08QM,RQCT
264-TK5R1P08QMRQTR
264-TK5R1P08QM,RQTR-DG
264-TK5R1P08QMRQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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