Hersteller Produktnummer:
TK55S10N1,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK55S10N1,LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
3549 Stück Neu Original Auf Lager
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TK55S10N1,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3280 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
157W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK+
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
TK55S10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
TK55S10N1,LQ(O
TK55S10N1LQTR
TK55S10N1LQDKR
TK55S10N1LQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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