Hersteller Produktnummer:
TK430A60F,S4X(S
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK430A60F,S4X(S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 13A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12964628
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Menge
Mindestens 1
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8FXT
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TK430A60F,S4X(S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
U-MOSIX
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.75mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1940 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
264-TK430A60F,S4X(S-DG
264-TK430A60F,S4X(S
264-TK430A60FS4X(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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