TK40A06N1,S4X
Hersteller Produktnummer:

TK40A06N1,S4X

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

TK40A06N1,S4X-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventar:

480 Stück Neu Original Auf Lager
12890373
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

TK40A06N1,S4X Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1700 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK40A06

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
TK40A06N1,S4X(S
TK40A06N1S4X
TK40A06N1,S4X-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
toshiba-semiconductor-and-storage

TPN8R903NL,LQ

MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TK35E08N1,S1X

MOSFET N-CH 80V 55A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8021-H(TE12LQ,M

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8012-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP