Hersteller Produktnummer:
TK39A60W,S4VX
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK39A60W,S4VX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
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TK39A60W,S4VX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 1.9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK39A60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK39A60WS4VX
TK39A60W,S4VX(M
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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