Hersteller Produktnummer:
TK35A08N1,S4X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK35A08N1,S4X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 35A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
3 Stück Neu Original Auf Lager
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TK35A08N1,S4X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSVIII-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1700 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK35A08
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK35A08N1S4X
TK35A08N1,S4X-DG
TK35A08N1,S4X(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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