Hersteller Produktnummer:
TK31E60W,S1VX
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK31E60W,S1VX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
48 Stück Neu Original Auf Lager
12890743
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TK31E60W,S1VX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
TK31E60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP34N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
152
TEILNUMMER
IXTP34N65X2-DG
Einheitspreis
3.26
ERSATZART
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