Hersteller Produktnummer:
TK2R4E08QM,S1X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK2R4E08QM,S1X-DG
Beschreibung:
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
176 Stück Neu Original Auf Lager
12965675
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TK2R4E08QM,S1X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
U-MOSX-H
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.44mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 2.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13000 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK2R4E08QM,S1X(S
264-TK2R4E08QMS1X
264-TK2R4E08QM,S1X
264-TK2R4E08QM,S1X-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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