Hersteller Produktnummer:
TK170V65Z,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK170V65Z,LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 18A (Ta) 150W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventar:
4950 Stück Neu Original Auf Lager
12979130
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TK170V65Z,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DTMOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 730µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1635 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Koffer
4-VSFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
TK170V65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
264-TK170V65Z,LQTR-DG
264-TK170V65Z,LQCT-DG
264-TK170V65ZLQTR
264-TK170V65Z,LQCT
264-TK170V65Z,LQTR
264-TK170V65Z,LQDKR-DG
TK170V65Z,LQ(S
264-TK170V65Z,LQDKR
264-TK170V65ZLQCT
264-TK170V65ZLQDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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