Hersteller Produktnummer:
TK14G65W5,RQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK14G65W5,RQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12891474
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TK14G65W5,RQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DTMOSIV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 690µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
TK14G65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
TK14G65W5RQDKR
TK14G65W5RQTR
TK14G65W5,RQ(S
TK14G65W5RQCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFA12N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
288
TEILNUMMER
IXFA12N65X2-DG
Einheitspreis
1.82
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